电子管和晶体管区别

　　金融界2024年10月31日消息，国家知识产权局信息显示电子管和晶体管区别，重庆平伟实㊣业股份有限公司申请㊣一项名为“一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管”的专利，公开号CN 118841328 A，申请日期为2024年8月。

　　专利摘要显㊣㊣示，本申请提供一种场效应晶体管的制造方法及场效应晶体管，该制造方法通过离子注入的方式形成第一导电类㊣型半导体源区时，不增加㊣场效应晶体管的造成工艺和成本，使得不同区域的第一导电类型半导体源区的掺杂㊣浓度不同，因场效应晶体管的沟道密度降低，有效降低了寄生三极管的基极㊣压降，减少寄生三极管开启✅的风险，增强了场效应晶体管的✅抗热不稳定性和安全工作区，与具有虚拟元胞的器件相比，其导通电阻明显减小。